西北工业大学按照“转一批、扶一程、帮一把”的“三个一”理念，持续推进“三项改革”为代表的体制机制改革，贯通技术、平台和服务“三条链路”，逐步形成了行之有效的科技成果转化“西工大模式”。学校自2022年征集开放许可项目以来，长期聚焦专利开放许可相关政策，积极服务陕西省重点产业高质量发展，不断促进学校技术成果与产业发展协同对接。
本期公布的参与开放许可的4件专利分别来自西北工业大学4个科研团队，涉及新材料、机电、互联网与云计算、仪器仪表等领域，详情如下：
1.一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法
专利号：ZL202110638882.4
申请日：2021年6月8日
公开日：2021年9月10日
专利权人：西北工业大学
许可范围(地理)：陕西省
许可期限：2042年8月30日
许可费用：免费
本发明属于耐磨金属薄膜技术领域，涉及一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1：将基体、NbMoWTa和Ag置入真空沉积环境中，向沉积环境中输入离化气体；S2：打开一号电源，以电源功率90～100W、基体偏压 75～ 85V、基体转速3～4rpm、沉积速率7.23～7.55nm/s将NbMoWTa沉积在基体上得到NbMoWTa层，沉积至厚度4～5nm后关闭一号电源；S3：打开二号电源，以电源功率90～100W、基体偏压 75～ 85V、基体转速3～4rpm、沉积速率18.55～18.95nm/s将Ag沉积在NbMoWTa层上得到Ag层，沉积至厚度4～5nm后关闭二号电源；S4：按照S2将NbMoWTa沉积在Ag上；S5：重复S3～S4，制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。该技术提供的制备方法在提升了膜材料整体耐磨性的同时可使膜材料结构致密，摩擦系数大幅度降低，综合性能更加优良。
图1 发明样品1与样品14-16的硬度图
2.基于力密度法的低栅瓣索网天线机电综合设计方法
专利号：ZL201810346620.9
申请日：2018年4月18日
公开日：2018年7月10日
专利权人：西北工业大学
许可范围(地理)：陕西省
许可期限：2028年12月30日
许可费用：免费
近年来，星载天线越来越朝大口径方向发展，以求获得更大的覆盖范围、更高的空间分辨率和测量灵敏度。传统固面反射面天线，当其口径较大时，在技术和造价上面临双重挑战。为此，星载天线在设计时需尽量做到轻质、可展开和高精度。索网天线具有可收展的特性，在发射时，其被固定在火箭整流罩内，呈收拢状态，到达轨道后，在指令控制下自动展开至工作状态。这种可收展特性，使得索网天线在空间科学方面取得了广阔的应用前景。本发明属于雷达天线技术领域，具体是一种基于力密度法的低栅瓣索网天线机电综合设计方法，本发明由于仅以索单元的力密度和分环数为变量，对索网天线反射面的几何形状进行设计，并以栅瓣电平极小化为目标，通过约束其它电性能和结构性能指标，实现了低栅瓣索网天线的机电综合设计。
图2.本发明天线反射面的几何形状
3.一种基于椭球模型的机翼盒段结构参数灵敏度分析方法
专利号：ZL201710694426.5
申请日：2017年8月15日
公开日：2018年1月9日
专利权人：西北工业大学
许可范围(地理)：陕西省
许可期限：2037年8月30日
许可费用：11万
为了克服现有技术的不足，本发明针对飞机机翼翼盒结构设计参数信息不充足的情况，提出了一种基于椭球模型的机翼盒段结构参数灵敏度分析方法，涉及飞机结构设计领域，针对飞机机翼翼盒结构设计参数信息不充足的情况，提出一种基于椭球模型下的结构参数灵敏度分析方法，对于结构功能函数为线性的情况，推导出了结构参数灵敏度的解析解，本发明定义了椭球模型下的机翼盒段结构参数的灵敏度指标，推导机翼盒段结构功能函数为线性情况下参数灵敏度的解析求解方法，以机翼九盒段结构灵敏度分析，证明了解析方法的正确性和有效性，本发明的分析结果对机翼盒段结构的可靠性分析和结构改设计有着重要的意义。
图3.飞机机翼九盒段结构示意图
4.一种碳化硅MOSFET驱动电路
专利号：ZL201810600993.4
申请日：2018年6月12日
公开日：2018年10月19日
专利权人：西北工业大学
许可范围(地理)：陕西省
许可期限：2026年12月30日
许可费用：15万
本发明提供了一种碳化硅MOSFET驱动电路，涉及功率变换电路领域，PWM控制电路产生PWM脉冲信号，PWM脉冲信号经过驱动信号放大电路后，经过电阻控制碳化硅MOSFET开关，供电电源输出包括+15V，0V和-3V直流电压，+15V和-3V直流电压分别给驱动信号放大电路供电，0V和碳化硅MOSFET的源极连接。本发明利用驱动负电压关断可以减少电力电子变换器中桥臂电路上下管的串扰，避免桥臂直通，提高了碳化硅MOSFET的可靠性；二极管可把栅极电压箝位到安全范围，避免碳化硅MOSFET栅极击穿损坏；电路中利用MOS管M1构成放电回路，加快了碳化硅MOSFET关断速度，提高了碳化硅MOSFET的开关速度，减少了开关损耗。
图4.本发明的电路结构示意图
本期专利开放许可小贴士：
办理专利开放许可实施合同备案，应当提交哪些材料？
（1）请求人签章的《专利实施许可合同备案申请表》（注意：专利开放许可实施合同备案与普通专利实施许可合同备案共用同一制式表格）；
（2）被许可人以书面方式向专利权人发出的通知；
（3）被许可人向专利权人支付许可使用费的凭证（或专利权人收到许可使用费的凭证）；
（4）请求人身份证明材料；
（5）委托代理的，应提交注明委托权限的委托书；
（6）纸件形式办理备案手续的，应提交经办人身份证明材料；
（7）其他需要提供的材料。
